Irf 9530 Irf9530 Transistor Mosfet P 100v 12a
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Características principales
Marca | Adichip.net |
|---|---|
Modelo | 100v 12a |
Código del transistor | IRF9530 |
Formato de venta | Unidad |
Otros
Tipo de encapsulado | TO-220 |
|---|---|
Voltaje máximo soportado | 100V |
Corriente máxima soportada | 12 A |
Potencia máxima soportada | 79 W |
Polaridad | CANAL-P |
Descripción
>>ADICHIP<<
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Irf 9530 Irf9530 Transistor Mosfet P 100v 12a
El transistor IRF9530N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El IRF9530N es un MOSFET de potencia de canal P de -100V, el MOSFET de potencia HEXFET® de tercera generación que ofrece al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia a la sobrecarga. El paquete es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales industriales a niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50W.
Características
- Polaridad del transistor: Canal-P
- Intensidad drenador continua Id: -14 A
- Tensión drenaje-fuente Vds: -100 V
- Resistencia de activación Rds(on): 200 mohm
- Tensión Vgs de medición Rds(on): -10 V
- Tensión umbral Vgs: -4 V
- Disipación de potencia Pd: 79 W
- Temperatura de operación mínima: -55°C
- Temperatura de operación máxima: 150 °C
- Encapsulado: TO-220
- 3 pines
Sustituto
NTE2383 IRF9520G
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