Transistor Irf640a Irf640 Irf 640 A Mosfet 200v 18a 1° Htec

Descripción

HIGH TEC ELECTRONICA - ELECTRONICA EN GENERAL
MERCADOLIDER PLATINUM 100% CALIFICACIONES POSITIVAS

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TRANSISTOR IRF640A MOSFET 200V 18A TO-220

HIGH TEC ELECTRONICA : IRF640A

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Número de Parte: IRF640A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Máxima disipación de potencia (Pd): 139 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 44 nC
Tiempo de subida (tr): 16 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 210 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.18 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220

INCLUYE :
MOSFET IRF640A
100% NUEVO

*** Producto Precio Final, Factura A, B & C. Local a la calle. Horario Lunes a Viernes.

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