Transistor Mosfet Ntf6p02t3g F6p02 6p02 20v 10a
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Características del producto
Características principales
Marca | RioTecno |
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Modelo | F6p02 |
Código del transistor | NTF6P02T3G |
Formato de venta | Unidad |
Otros
Tipo de encapsulado | 223 |
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Voltaje máximo soportado | 20V |
Corriente máxima soportada | 10 A |
Potencia máxima soportada | 0 W |
Polaridad | p |
Descripción
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Designador de tipo: NTF6P02T3G
Código de marcado: 6P02
Tipo de transistor: MOSFET
Tipo de canal de control: Canal P
Disipación de potencia máxima (Pd): 8,3 W
Voltaje máximo de fuente-drenaje |Vds|: 20 V
Voltaje máximo de puerta-fuente |Vgs|: 8 V
Voltaje umbral máximo de puerta |Vgs(th)|: 1 V
Corriente de drenaje máxima |Id|: 10 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
Carga total de puerta (Qg): 15 nC
Tiempo de subida (tr): 25 nS
Capacitancia de fuente de drenaje (Cd): 350 pF
Resistencia máxima en estado de fuente de drenaje (Rds): 0,05 ohmios
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Ubicación: Estamos ubicados en la ciudad de Río Cuarto cerca del nuevo Centro Cívico de la Provincia y de los nuevos Tribunales.
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