5 Transistores Irfp350

Descripción

Número de Parte: IRFP350
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Máxima disipación de potencia (Pd): 190 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 400 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 16 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 150(max) nC
Tiempo de subida (tr): 49 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 660 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247AC