Std13nm60n 13nm6 Transistor Mosfet Smd Pack X 4
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Características del producto
Características principales
Marca | ST |
|---|---|
Modelo | 13NM60N |
Código del transistor | 13nm6 |
Otros
Tipo de encapsulado | Montaje en superficie (SMD) |
|---|---|
Corriente máxima soportada | 11 A |
Potencia máxima soportada | 90 W |
Polaridad | N |
Descripción
Transistor STD13NM60N
Código 13NM6 0N
Tipo: Mosfet canal N de ultra bajas pérdidas
Voltaje drain source: 600V
Voltaje drain source Tjmax: 650V
Corriente Drain: 11A
Corriente Drain pulsada: 30A
Potencia disipada: 90W
RDS(on) típico: 0.28 ohm
Tiempo de encendido TD (on): 3ns
Encapsulado: TO-252 (SMD)
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