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Características del producto

Características principales

Marca
F
Modelo
5503gm
Código del transistor
5503GM

Otros

Tipo de encapsulado
Superficie
Corriente máxima soportada
1 A
Potencia máxima soportada
1 W
Polaridad
N

Descripción

5503GM
Es un Mosfet de modo de mejora de canal N de montaje superficial, TO-252 de tres terminales, incluye carga de puerta baja RDS bajo (encendido), conmutación rápida y excelentes características de avalancha, este Mosfet esta diseñado para convertidores cc/cc reductores sincronos de alta eficiencia y es adecuado para su uso en aplicaciónes de alta corriente y alta densidad.

Pack x 2

+++NOTA: Los componentes electrónicos NO tienen Garantía.
+++NO nos hacemos responsables por fallas ajenas a nuestra función comercial.

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