Transistor Mosfet Irfz44n X 12 Unidades

Descripción

Precio por 12 unidades.

Descripción

Los MOSFET de potencia HEXFET avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el que son bien conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
El paquete TO-220 es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales-industriales en niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete del TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria.

Tecnología de proceso avanzada
Resistencia de encendido ultrabaja
Clasificación dinámica dv/dt
Temperatura de funcionamiento de 175C
Conmutación rápida
Totalmente clasificado para avalanchas


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