Gt30j122a 30j122a Transistor Igbt 600v 30a To-3p
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Características del producto
Características principales
Marca | Toshiba |
|---|---|
Modelo | GT30J122A |
Código del transistor | GT30J122A |
Formato de venta | Unidad |
Otros
Tipo de encapsulado | TO-3P |
|---|---|
Voltaje máximo soportado | 600V |
Corriente máxima soportada | 1 A |
Potencia máxima soportada | 1 W |
Polaridad | 1 |
Descripción
El 30J122 es un transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de alta eficiencia diseñado para aplicaciones de conmutación y control de potencia.
Características:
Tipo: IGBT de potencia
Voltaje máximo de colector-emisor (Vce): 600V
Corriente máxima de colector (Ic): 30A
Baja caída de voltaje y alta eficiencia energética
Alta velocidad de conmutación
Encapsulado: TO-3P
Aplicaciones:
Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)
Inversores y controladores de motor
Convertidores de energía y sistemas UPS
Equipos de soldadura y control industrial
**-Ideal para aplicaciones donde se requiera un rendimiento eficiente y confiable en el manejo de altas corrientes y voltajes.
Garantía del vendedor: 30 días
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