Memoria Ram 32gb Ddr4 3200 Kingston 32 Gb Sodimm Notebook Ct
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Características del producto
Capacidad total: 32 GB
Formato: SODIMM
Velocidad: 3.2 GHz
Características generales
Marca | Kingston |
---|---|
Línea | ValueRAM |
Modelo | KVR32S22D8/32 |
Módulos de memoria RAM | 1 |
Capacidad total del módulo de memoria RAM | 32 GB |
Capacidad individual | 32 GB |
Especificaciones
Tipo de memoria RAM | DDR4 SDRAM |
---|---|
Formato de la memoria RAM | SODIMM |
Velocidad de la memoria RAM | 3,2 GHz |
Con memoria gráfica ECC | No |
Otros
Modelo detallado | kvr32s22d8/32 |
---|---|
Voltaje de alimentación | 1.2V |
Latencia CAS | 22 |
Tasa de transferencia | 25,6 GB/s |
Descripción
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Kingston es sinónimo de trayectoria y excelencia en el mercado tecnológico, principalmente en lo que a memorias ram refiere. Mejorar la capacidad y rendimiento de tu computadora va a ser fácil con la incorporación de una memoria de la línea ValueRAM, que cubrirá todas tus necesidades. Dispará la productividad y ejecutá tus programas y aplicaciones con mayor velocidad.
KVR32S22D8/32
32GB 2Rx8 4G x 64-Bit PC4-3200
CL22 260-Pin SODIMM
ValueRAM, la memoria estándar de Kingston en este sector, proporciona un rendimiento de primera calidad, además de la fiabilidad legendaria de Kingston. Cuando uno sabe lo que quiere, lo que quiere es ValueRAM.
32GB DDR4 3200MT/s Non-ECC Unbuffered SODIMM CL22 2Rx8 1.2V 260-pin 16Gbit
Código de artículo: KVR32S22D8/32
El KVR32S22D8/32 de ValueRAM es un módulo de memoria 4G x 64 bits (32 GB) DDR4-3200 CL22 SDRAM (Synchronous DRAM), 2Rx8, no ECC, basado en dieciséis componentes FBGA de 2G x 8 bits. El SPD está programado para la latencia estándar DDR4-3200 de JEDEC de 22-22-22 a 1,2 V. Este DIMM de 260 pines utiliza dedos de contacto dorados. Las especificaciones eléctricas y mecánicas son las siguientes:
CARACTERÍSTICAS
• Power Supply: VDD = 1.2V Typical
• VDDQ = 1.2V Typical
• VPP = 2.5V Typical
• VDDSPD = 2.2V to 3.6V
• Nominal and dynamic on-die termination (ODT) for data, strobe, and mask signals
• Low-power auto self refresh (LPASR)
• Data bus inversion (DBI) for data bus
• On-die VREFDQ generation and calibration
• Dual-rank
• On-board I2 serial presence-detect (SPD) EEPROM
• 16 internal banks; 4 groups of 4 banks each
• Fixed burst chop (BC) of 4 and burst length (BL) of 8 via the mode register set (MRS)
• Selectable BC4 or BL8 on-the-fly (OTF)
• Fly-by topology
• Terminated control command and address bus
• PCB: Height 1.18" (30.00mm)
• RoHS Compliant and Halogen-Free
ESPECIFICACIONES
• CL(IDD) Row: 22 cycles
• Cycle Time (tRCmin): 45.75ns(min.)
• Refresh to Active/Refresh Command Time (tRFCmin): 350ns(min.)
• Row Active Time (tRASmin): 32ns(min.)
• UL Rating: 94 V - 0
• Operating Temperature: 0o C to +85o C
• Storage Temperature: -55°C to +100°C
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