Memoria Pny Mn4gsd42666bl 4gb Ddr4 2666mhz Sodimm
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Características del producto
Capacidad total: 4 GB
Formato: Notebook
Velocidad: 2.666 GHz
Características generales
Marca | PNY |
|---|---|
Línea | Performance |
Modelo | MN4GSD42666BL |
Módulos de memoria RAM | 1 |
Capacidad total del módulo de memoria RAM | 4 GB |
Capacidad individual | 4 GB |
Otros
Velocidad de transferencia de datos de memoria RAM | 21,33 GB/s |
|---|
Especificaciones
Tipo de memoria RAM | DDR4 |
|---|---|
Formato de la memoria RAM | Notebook |
Velocidad de la memoria RAM | 2,67 GHz |
Otros
Modelo detallado | Mn8Gsd42666bl |
|---|---|
Voltaje de alimentación | 1.2V |
Latencia CAS | 22 |
Descripción
ejorá el rendimiento de tu notebook con la memoria RAM PNY MN4GSD42666BL. Este módulo SODIMM DDR4 de 4GB y 2666MHz ofrece una solución eficiente para tareas diarias, navegación web y aplicaciones de oficina.
Características principales:
Marca: PNY
Modelo: MN4GSD42666BL
Capacidad: 4GB
Tipo: DDR4 SODIMM
Velocidad: 2666MHz (PC4-21300)
Latencia CAS: CL19
Voltaje: 1.2V
Pines: 260
No ECC, sin búfer
Compatible con la mayoría de las notebooks que admiten memoria DDR4 SODIMM a 2666MHz. Ideal para mejorar la multitarea y la velocidad general del sistema.
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