Mosfet Array N P 30v 8.6 / 7.3 A Fds8858 Cz 8-so Itytarg
Llega el viernes 10 de mayo
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Descripción
Tipo FET Canal N y P
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 8.6 A, 7.3 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 17 mOhm a 8.6 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 24 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1205 pF a 15 V
Potencia máxima 900 mW
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
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