But12af Transistor Bipolar But12af Npn

Descripción

BUT12AF

Silicon NPN Power Transistors TO-220Fa package
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MAX. UNIT
VCESM collector-emitter peak voltage VBE = 0
BUT12F 850 V
BUT12AF 1000 V
VCEO collector-emitter voltage open base
BUT12F 400 V
BUT12AF 450 V
VCEsat collector-emitter saturation voltage see Figs 7 and 9 1.5 V
ICsat collector saturation current
BUT12F 6 A
BUT12AF 5 A
IC collector current (DC) see Figs 2 and 4 8 A
ICM collector current (peak value) see Fig.2 20 A
Ptot total power dissipation Th = 25 °C; see Fig.3 23 W
tf fall time resistive load; see Figs 11 and 12 0.8 µ

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