Si 2302 Si-2302 Si2302 Si2302ds Transistor Mosfet N 20 V

Descripción

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Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 72 mOhm a 3.6 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.2 V a 50 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 10nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 237pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.25 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3