Transistor Mosfet N Ipa60r190e6 6r190e6 600v 20.2a

Descripción

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CARACTERISTICAS:

Número de Parte: IPA60R190E6
Código: 6R190E6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS:

Disipación total del dispositivo (Pd): 34 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 20.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS:

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3.5 V
Carga de compuerta (Qg): 63 nC
Tiempo de elevación (tr): 10 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 85 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.19 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220FP





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